ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ НЕТРАДИЦИОННЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ЭНЕРГИИ

Тонкопленочные солнечные элементы на основе поликристаллических слоев Cu(In, Ga)Se2 (CIGS) и
Cu(In, Ga)SeS (CIGSSe)

Тонкопленочные солнечные элементы на основе соединений Cu(In, Ga)Se2 и Cu(In, Ga)SeS обладают высоким потенциалом для массового производства дешевых преобразователей солнечной энергии. Массовое производство тонкопленочных панелей на основе этих материалов началось сравнительно недавно в США и Германии. По существу, это третий материал, который нашел применения в массовом производстве солнечных преобразователей второго поколения.
  На левом рисунке показана конструкция солнечного элемента на основе CIGSSe, интегрированного в панель. Через Р1, Р2, P3 обозначены разделительные дорожки, полученные скрайбированием слоев на различных этапах изготовления модуля. Поскольку CIGSSe прямозонный материал с высоким коэффициентом поглощения, толщины в 2 мкм оказывается достаточно для поглощения солнечного излучения. В солнечных элементах используются слои CIGSSe с проводимостью p-типа нанесенные на покрытую Mo (тыльный контакт) стеклянную подложку. На первом этапе на слой Mo ионным распыление наносятся компоненты соединения: Cu, In и Ga.На втором этапе используется процесс селенизации и сульфизации компонентов CIGSSe. На заключительном этапе из раствора химически наносится тонкий буферный слой CdS, не легированный слой ZnO и слой ZnO:Al, обладающий электронной проводимостью. Все слои широкозонного окна наносятся ионным распылением. Правый рисунок иллюстрирует процесс изготовления модуля и выполнение последовательных соединений с помощью скрайбирования и нанесения контактных слоев.

  Работа над темой