Солнце       

тема 4 - Фотоэлектрическое преобразование солнечной энергии

    "Вопросы для подготовки к обсуждению данной темы:"
  1. Назовите основные электронные процессы, которые должны иметь место в фотоэлектрическом преобразователе солнечной энергии?
  2. Предложите идеи, которые бы позволили создать более эффективный материал (абсорбер) для фотопреобразователя?
  3. Как для однокаскадного солнечного элемента с pn-переходом рассчитать ширину запрещенной зоны материала обеспечивающего максимальный кпд преобразования солнечной энергии?
  4. В каком СЭ можно получить большее значение фотоэдс: изготовленном на основе Si, GaAs, CdTe?
  5. В каком СЭ, при одинаковых условиях солнечного освещения, можно получить большее значение фото тока: изготовленном на основе Si, GaAs, CdTe?
  6. Какое предельное значение кпд можно достигнуть на однокаскадном солнечном элементе с pn-переходом?
  7. Как вы считаете какие солнечные элементы дешевле в расчете на ватт установленной мощности: на основе Si или GaAs?
  8. Какой средний срок службы заявляют производители монокристаллических солнечных элементов?
  9. В чем, с вашей точки зрения, основные недостатки монокристаллических элементов по сравнению с тонкопленочными?

РИСУЕМ КАРТИНКИ       ОБСУЖДЕНИЕ