Солнце       

Основные процессы при фотоэлектрическом преобразовании (тема 5)

    Вопросы для подготовки к обсуждению данной темы:
  1. Какими оптическими параметрами должно обладать однослойное отражающее покрытие?
  2. В чем преимущества полупроводников с прямыми оптическими переходами по сравнению с полупроводниками с не прямыми оптическими переходами ?
  3. В чем недостатки полупроводников с прямыми оптическими переходами по сравнению с полупроводниками с не прямыми оптическими переходами ?
  4. Какие требования, с точки зрения эффективности преобразования солнечного излучения, должны быть соблюдены при выборе толщины фронтальной полупроводниковой области солнечного элемента с pn-переходом?
  5. Какие требования, с точки зрения эффективности преобразования солнечного излучения, должны быть соблюдены при выборе толщины тыльной полупроводниковой области солнечного элемента с pn-переходом?
  6. Перечислите основные типы оптических потерь энергии в солнечном элементе.
  7. Перечислите основные типы эклектических потерь в солнечном элементе.
  8. Какие способы увеличения коэффициента собирания фотоносителей можно предложить?
Задание на домашний расчет для подготовки к данной теме. Оцените, какой шириной запрещенной зоны должен обладать СЭ c pn-переходом, чтобы иметь максимльную выходную мощность (и соответственно кпд). Можете сделать упрощающие допущения, желательно в сторону завышения параметров, чтобы оценить предльные возможности СЭ.

ДОМАШНЯЯ ПОДГОТОВКА (pdf)            ОБСУЖДЕНИЕ         ПРОВЕРЬ СЕБЯ